IPB05N03LA

物料型号：IPB05N03LA G

器件简介：这是一种N通道逻辑电平功率晶体管，适用于高频直流/直流转换器，符合JEDEC标准。

引脚分配：共有3个引脚，分别是： - pin1: 栅极(gate) - pin2: 漏极(drain) - pin3: 源极(source)

参数特性： - 漏源电压(VDs)：25V - 最大漏源导通电阻(RDS(on).max)：4.6毫欧 - 连续漏极电流(ID)：80A - 雪崩能量(EAS)：190毫焦 - 反向二极管dv/dt：6千伏/秒 - 栅源电压(VGs)：±20V - 总功耗(Ptot)：94瓦

功能详解： - 该器件具有优异的栅极电荷与导通电阻的乘积(FOM)，极低的导通电阻，以及优越的热阻。 - 工作温度范围达到175°C，并且具有dv/dt额定值。 - 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。

应用信息：适用于高频直流/直流转换器，并且已经针对目标应用进行了合格认证。

封装信息：PG-TO263封装，具有不同的标记方式，以区分不同版本。