IPB65R095C7ATMA2

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
TO-263(D²Pak)
描述：
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3

数据手册：

下载IPB65R095C7ATMA2.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

IPB65R095C7ATMA2 数据手册

MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS™C7 650VCoolMOS™C7PowerTransistor IPB65R095C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 650VCoolMOS™C7PowerTransistor IPB65R095C7 1Description D²PAK CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. CoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theproductportfolio providesallbenefitsoffastswitchingsuperjunctionMOSFETsoffering betterefficiency,reducedgatecharge,easyimplementationand outstandingreliability. tab 2 1 3 Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •BetterefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •Easytouse/drive •Pb-freeplating,halogenfreemoldcompound •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) Drain Pin 2, tab Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Enablinghighersystemefficiency •Enablinghigherfrequency/increasedpowerdensitysolutions •Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements •Highersystemreliabilityduetoloweroperatingtemperatures Applications PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Server, Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 700 V RDS(on),max 95 mΩ Qg.typ 45 nC ID,pulse 100 A Eoss@400V 5.5 µJ Body diode di/dt 60 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPB65R095C7 PG-TO 263 65C7095 Final Data Sheet 2 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2013-10-11 650VCoolMOS™C7PowerTransistor IPB65R095C7 TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 Final Data Sheet 3 Rev.2.0,2013-10-11 650VCoolMOS™C7PowerTransistor IPB65R095C7 2Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current 1) Values Unit Note/TestCondition 24 15 A TC=25°C TC=100°C - 100 A TC=25°C - - 118 mJ ID=8.4A; VDD=50V; see table 10 EAR - - 0.59 mJ ID=8.4A; VDD=50V; see table 10 Avalanche current, single pulse IAS - - 8.4 A - MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 100 V/ns VDS=0...400V Gate source voltage (static) VGS -20 - 20 V static; Gate source voltage (dynamic) VGS -30 - 30 V AC (f>1 Hz) Power dissipation Ptot - - 128 W TC=25°C Storage temperature Tstg -55 - 150 °C - Operating junction temperature Tj -55 - 150 °C - Mounting torque - - - n.a. Ncm - Continuous diode forward current IS - - 24 A TC=25°C Diode pulse current2) IS,pulse - - 100 A TC=25°C Reverse diode dv/dt 3) dv/dt - - 1.5 V/ns VDS=0...400V,ISD

下载 PDF

IPB65R095C7ATMA2

物料型号：IPB65R095C7

器件简介：CoolMOS™是英飞凌技术公司首创的用于高电压功率MOSFET的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。

引脚分配：Drain Pin 2, tab; Gate Pin 1; Source Pin 3

参数特性： - VDs@Tj.max：700V - Ros(on).max：95 mΩ - Qgtyp：45 nC - lp.pulse：100 A - Eoss@400V：5.5 FJ - Body diode di/dt：60 A/us

功能详解： - 提供快速开关超结MOSFET的所有优势，包括更高的系统效率、降低的门极电荷、易于实现和卓越的可靠性。 - 支持更高频率/增加功率密度的解决方案。 - 由于降低的冷却需求，系统成本/尺寸节省。 - 由于较低的运行温度，系统可靠性更高。

应用信息：适用于计算、服务器、电信、UPS和太阳能的PFC阶段和硬开关PWM阶段。

封装信息：PG-TO 263，标记为65C7095。

IPB65R095C7ATMA2 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“IPB65R095C7ATMA2”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货