物料型号:
- IPW65R190CFD
- IPB65R190CFD
- IPP65R190CFD
- IPA65R190CFD
- IPI65R190CFD
器件简介:
650V CoolMOS™ CFD2 系列是一款由英飞凌公司推出的高压功率MOSFET,采用超结(SJ)原理设计。
这些器件提供了快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供了一个极其快速和稳健的体二极管。
极低的开关、换向和导通损耗,以及最高的稳健性,使得特别是谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
引脚分配:
- drain pin 2
- gate pin 1
- source pin 3
参数特性:
- VDs @Tmax: 700V
- RDS(on),max: 0.19Ω
- Qg.typ: 68nC
- ID,pulse: 57.2A
- Eoss @ 400V: 5.7mJ
- Body diode di/dt: 900A/s
- Qrr: 0.5nC
- trr: 120ns
- Irrm: 7.5A
功能详解:
该系列MOSFET具有超快的体二极管、非常高的换向稳健性、极低的损耗(由于很低的FOM RdsonQg和Eoss)、易于使用/驱动、符合JEDEC标准(J-STD20和JESD22)的工业级应用资格、无铅镀层和无卤素模具化合物等特点。
应用信息:
650V CoolMOS™ CFD2 特别适合用于例如PC银箱、液晶电视、照明、服务器和电信等领域的谐振开关PWM阶段。
封装信息:
- TO-247 D²PAK
- TO-220
- TO-220 FP I²PAK
- PG-TO 247
- PG-TO 263
- PG-TO 220 FulIPAK
- PG-TO 262
以上信息摘自英飞凌提供的PDF数据手册。