物料型号为IPB90R340C3,由英飞凌生产。
这是一个CoolMOS™ Power Transistor,具有以下特点:
- 最低的RON x Qg指标
- 极高的dv/dt额定值
- 高峰值电流能力
- 符合JEDEC标准的工业应用资格
- 封装类型为PG-TO263,无铅引线镀层,符合RoHS标准
- 超低栅极电荷
引脚分配为:
- pin1: 栅极(gate)
- pin2: 漏极(drain)
- pin3: 源极(source)
参数特性包括但不限于:
- 连续漏源电流15A(25°C) / 9.5A(100°C)
- 脉冲漏源电流34A(25°C)
- 雪崩能量678mJ(单脉冲)
- 重复雪崩能量1mJ
- MOSFET dv/dt耐受性50V/ns
- 栅源电压静态+20V,交流±30V
- 总功耗208W(25°C)
功能详解:
- 设计用于准谐振Flyback/Forward拓扑、SMPS、PC Silverbox、照明、太阳能等应用。
应用信息:
- 适用于多种电源转换和控制领域。
封装信息:
- 封装类型PG-TO263,具有特定的引脚分配和最大额定值。
该文档是英飞凌的官方数据手册,提供了详细的电气特性、热特性、静态特性、动态特性和门极电荷特性等参数。
同时,还包含了安全操作区域、最大瞬态热阻抗和典型输出特性等图表信息。