IPBE65R190CFD7AATMA1

1. 物料型号：IPBE65R190CFD7A，封装类型为PG-TO263-7-11，标记为65A190F7。

2. 器件简介： - 该器件是英飞凌（Infineon）生产的650V CoolMOSTM CFD7A SJ Power Device，属于最新一代的汽车级高电压CoolMOS™ MOSFET。 - 集成了快速内部体二极管，适用于PFC和谐振开关拓扑，例如ZVS相移全桥和LLC。

3. 引脚分配： - 7引脚D-PAK封装，具体的引脚功能未在文档中详细描述，但通常包括漏极（D）、源极（S）、门极（G）和其他可能的引脚如Kelvin源接触。

4. 参数特性： - 650V的漏源击穿电压（V(BR)DSS）。 - 极低的内阻（Ros(on)）和栅极电荷（Qg），具有最佳的性价比（FOM）。 - 100%雪崩测试。 - Kelvin源接触可用，提供最佳的RDS(on)性能。

5. 功能详解： - 优化适用于高达475V的更高电池电压。 - 降低开关损耗，支持更高的开关频率。 - 高质量和可靠性。 - 由于Kelvin源的使用，具有先进的可控性。 - 增加的封装爬电距离和效率。

6. 应用信息： - 适用于PFC和DC-DC阶段，包括单向和双向DC-DC转换器、车载电池充电器等。

7. 封装信息： - 封装类型为PG-TO263-7-11，提供了详细的尺寸图和标记信息。