IPBE65R230CFD7AATMA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
TO-263-7(D2PAK)
描述：

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IPBE65R230CFD7AATMA1 数据手册

IPBE65R230CFD7A MOSFET 650VCoolMOSªCFD7ASJPowerDevice D²-PAK7pin 650VCoolMOS™CFD7AisInfineon'slatestgenerationofmarketleading automotivequalifiedhighvoltageCoolMOS™MOSFETs.Inadditiontothe well-knownattributesofhighqualityandreliabilityrequiredbythe automotiveindustry,thenewCoolMOS™CFD7Aseriesprovidesforan integratedfastbodydiodeandcanbeusedforPFCandresonant switchingtopologiesliketheZVSphase-shiftfull-bridgeandLLC. tab 1 Features 2 3 45 6 7 •Latest650Vautomotivequalifiedtechnologywithintegratedfastbody diodeonthemarketfeaturingultralowQrr •LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •100%avalanchetested •Kelvinsourcecontactavailable •Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages Drain tab Gate Pin 1 Benefits *1 *2 •Optimizedforhigherbatteryvoltagesupto475Vthankstofurther improvedrobustness •Lowerswitchinglossesenablinghigherswitchingfrequencies •Highqualityandreliability •Advancedcontrollabilityduetokelvinsource •Increasedpackagecreepagedistance •Increasedefficiencyinlightloadandfullloadconditions *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Power Source Pin 3-7 Driver Source Pin 2 Potentialapplications SuitableforPFCandDC-DCstagesfor: •UnidirectionalandbidirectionalDC-DCconverters, •On-BoardbatteryChargers Productvalidation QualifiedaccordingtoAECQ101 Pleasenote:Thesourceandsensesourcepinsarenotexchangeable. Theirexchangemightleadtomalfunction.Forproductionpartapproval process(PPAP)releaseweproposetoshareapplicationrelated informationduringanearlydesignphasetoavoiddelaysinPPAPrelease. PleasecontactInfineonsalesoffice. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS 650 V RDS(on),max 230 mΩ Qg,typ 23 nC ID,pulse 44 A Eoss @ 400V 3.0 µJ Body diode diF/dt 1300 A/µs Type/OrderingCode Package IPBE65R230CFD7A PG-TO263-7-11 Final Data Sheet 1 Marking RelatedLinks 65A230F7 see Appendix A Rev.2.2,2021-11-24 650VCoolMOSªCFD7ASJPowerDevice IPBE65R230CFD7A TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Final Data Sheet 2 Rev.2.2,2021-11-24 650VCoolMOSªCFD7ASJPowerDevice IPBE65R230CFD7A 1Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current1) Values Unit Note/TestCondition 11 7 A TC=25°C TC=100°C - 44 A TC=25°C - - 52 mJ ID=3.0A; VDD=50V; see table 10 IAS - - 3.0 A - MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 120 V/ns VDS=0...400V Gate source voltage (static) VGS -20 - 20 V static; Gate source voltage (dynamic) VGSk,pulse -30 - 30 V frepetition

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IPBE65R230CFD7AATMA1

物料型号：IPBE65R230CFD7A

器件简介： - 650V CoolMOS™ CFD7A是英飞凌最新一代的汽车级高电压CoolMOS™ MOSFET。 - 集成了快速体二极管，适用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

引脚分配： - 采用D-PAK 7pin封装，包括Kelvin源接触，引脚2为源极，引脚3-7为漏极。

参数特性： - 100%雪崩测试，优化用于高达475V的更高电池电压。 - 降低开关损耗，提高开关频率，提高轻载和满载条件下的效率。

功能详解： - 适用于PFC和DC-DC阶段，包括单向和双向DC-DC转换器、车载电池充电器。

应用信息： - 根据AEC Q101标准进行认证，注意源极和感应源极引脚不可交换。

封装信息： - 封装类型为PG-TO263-7-11，标记为65A230F7。

关键性能参数： - 漏源电压(VDs)：650V - 导通电阻(Ros(on).max)：230mΩ - 栅极电荷(Qg.typ)：23nC - 脉冲漏极电流(Io.pulse)：44A - 漏极-源极偏置电压下的输出电荷(Eoss @ 400V)：3.0FJ - 体二极管di/dt：1300A/s

最大额定值： - 连续漏极电流：10A至117A - 脉冲漏极电流：44A - 雪崩能量：52mJ - MOSFET dv/dt耐量：120V/ns

热特性： - 结-壳热阻：1.99°C/W - 允许的焊接温度：260°C

电气特性： - 漏源击穿电压：650V - 栅极阈值电压：3.5V至4.5V - 栅极-源极漏电流：最大1A - 导通电阻：最小0.196mΩ，典型值0.230mΩ

动态特性： - 输入电容：典型值1044pF - 输出电容：典型值17pF - 导通延迟时间：典型值13ns - 上升时间：典型值3ns

门极电荷特性： - 门极-源极电荷：典型值6nC - 门极-漏极电荷：典型值7nC - 总门极电荷：典型值23nC

反向二极管特性： - 二极管正向电压：典型值1.1V - 反向恢复时间：典型值91ns - 反向恢复电荷：典型值0.4uC

测试电路和封装轮廓也包含在文档中，提供了详细的测试条件和布局建议。

修订历史： - 最终数据手册的修订日期为2021年11月24日，版本号为Rev.2.2。

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