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IPD048N06L3GATMA1

IPD048N06L3GATMA1

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    TO-252-2(DPAK)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IPD048N06L3GATMA1 数据手册
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IPD048N06L3GATMA1
物料型号是 IPD048N06L3。

该器件是一款 N 通道逻辑电平 MOSFET,适用于高频开关和同步整流应用,优化技术用于 DC/DC 转换器。

具有出色的栅极电荷乘以导通电阻(RDS(on))的乘积(FOM),极低的导通电阻 RDS(on),符合 RoHS 标准,100% 雪崩测试,无铅电镀。


引脚分配如下:Pin 1 为漏极(Drain),Pin 2 为栅极(Gate),Pin 3 为源极(Source)。


主要参数特性包括: - 热阻特性:RthJC(结到壳热阻)最小为 1.3 K/W。

- 电气特性:漏源击穿电压(BR(DSS))为 60 V,栅极阈值电压(GS(th))在 1.2 V 至 2.2 V 之间,导通电阻(RDS(on))在特定条件下最小为 3.7 mΩ。


功能详解: - 动态特性包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、开通延迟时间(td(on))、上升时间(tr)、关断延迟时间(td(off))、下降时间(tf)等。

- 反向二极管特性包括连续正向电流(Is)、脉冲电流(S.pulse)、正向电压(VSD)、反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)。


应用信息: - 该器件可用于需要高效率和高功率密度的场合,如 DC/DC 转换器、电机驱动、电源管理等。


封装信息: - 封装类型为 TO252,详细的封装尺寸信息包括:A(2.159 至 2.413 毫米)、A1(0.000 至 0.150 毫米)、b2(0.650 至 1.150 毫米)、b3(5.004 至 5.500 毫米)、c2(0.460 至 0.980 毫米)、D(5.969 至 6.223 毫米)、D1(5.020 至 5.842 毫米)、E(6.400 至 6.731 毫米)、E1(4.850 至 5.207 毫米)、H(9.400 至 10.480 毫米)、L3(0.900 至 1.143 毫米)、L4(0.584 至 0.950 毫米)、L6(0.510 至 0.686 毫米)等。
IPD048N06L3GATMA1 价格&库存

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IPD048N06L3GATMA1
  •  国内价格
  • 5+5.75342
  • 50+4.42493
  • 100+4.28317
  • 250+4.23659
  • 1000+4.15761

库存:2335