IPD30N06S223ATMA2

物料型号：IPD30N06S2-23

器件简介： - 这是一个N通道增强型OptiMOS®功率晶体管，符合汽车AEC Q101标准。 - 具有超低导通电阻（Rds(on)），最大值为23毫欧姆（SMD版本）。 - 能够承受高达175°C的工作温度和260°C的峰值回流温度。 - 封装类型为PG-TO252-3-11，标记为2N0623。

引脚分配： - 漏极引脚：2 - 栅极引脚：1 - 源极引脚：3

参数特性： - 连续漏极电流：30A - 脉冲漏极电流：120A - 雪崩能量：150mJ（30A脉冲） - 栅源电压：+20V - 总功耗：100W - 工作和存储温度：-55...+175℃

功能详解： - 热特性：包括结到外壳的热阻（RthJC）和结到环境的热阻（RthJA）。 - 电气特性：包括漏源击穿电压（V(BR)DSS）、栅极阈值电压（VGs(h)）、零栅压漏电流（Dss）、栅源漏电流（IGSS）和漏源导通电阻（RDS(on)）。 - 动态特性：包括输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）、反向传输电容（Crss）、开通延迟时间（t d(on)）、上升时间（t）、关断延迟时间（td(off)）和下降时间（tf）。 - 栅极电荷特性：包括栅源电荷（Qgs）、栅漏电荷（Qgd）和总栅极电荷（Qg）。 - 反向二极管特性：包括连续正向电流（Is）、脉冲电流（/S.pulse）、正向电压（VSD）、反向恢复时间（tr）和反向恢复电荷（Qr）。

应用信息： - 该器件适用于需要高效率和高密度的应用，如汽车电子、工业控制和电源管理。

封装信息： - 封装类型：PG-TO252-3-11 - 标记：2N0623 - 绿色封装（无铅）