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IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    SOT428

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IPD30N06S4L23ATMA1 数据手册
IPD30N06S4L23ATMA1
物料型号为 IPD30N06S4L-23,是一款N-Channel增强型OptiMOS®-T2功率晶体管,符合RoHS标准。

其主要特性包括:

- 30A的连续漏极电流 - 60V的漏源击穿电压 - 23mΩ的最大导通电阻 - 175°C的工作温度 - 符合AEC Q101标准 - 通过100%的雪崩测试

封装信息为PG-TO252-3-11,标记为4N06L23。

引脚分配为:引脚2/Tab为漏极,引脚1为栅极,引脚3为源极。


电气特性包括最大连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量、雪崩电流、栅源电压、总功耗、工作和存储温度等。

热特性包括结到外壳的热阻和最小尺寸的SMD版本。


动态特性包括输入电容、输出电容、反向传输电容、开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间。

栅极电荷特性、反向二极管特性和安全工作区也被详细描述。


请注意,文档还包括了典型的输出特性、漏源导通电阻和转移特性等图表,以及雪崩能量、漏源击穿电压和栅极电荷波形的典型图。
IPD30N06S4L23ATMA1 价格&库存

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