物料型号：IPD30N08S2-22
器件简介：
- 这是一种N通道增强型OptiMOS® Power-Transistor。
- 符合汽车AEC Q101标准。
- 可承受高达260°C的回流焊峰值温度。
- 工作温度可达175°C。
- 使用绿色封装（无铅）。
- 具有超低导通电阻（Rds(on)）。
- 经过100%雪崩测试。
引脚分配：
- PG-TO252-3-11封装，共有3个引脚：
- 2号引脚：漏极（Drain）
- 1号引脚：栅极（Gate）
- 3号引脚：源极（Source）
参数特性：
- 漏源电压（VDs）：75V
- 最大导通电阻（RDS(on).max）：21.5毫欧
- 连续漏极电流（ID）：30A
- 脉冲漏极电流（ID,pulse）：120A
- 雪崩能量（EAS）：240毫焦
- 栅源电压（VGs）：±20V
- 总功耗（Ptot）：136W
- 工作和存储温度（Tj,Tstg）：-55°C至+175°C
功能详解：
- 热特性包括结到外壳的热阻（RthJC）和结到环境的热阻（RthJA）。
- 电气特性包括漏源击穿电压（V(BR)DSS）、栅阈值电压（VGs(h)）、栅源漏电流（IGSS）和漏源导通电阻（RDS(on)）。
应用信息：
- 该器件适用于需要高功率和高效率的应用场合。
封装信息：
- 封装类型为PG-TO252-3-11，这是一种3引脚的封装。
