IPD30N08S222ATMA1

物料型号：IPD30N08S2-22

器件简介： - 这是一种N通道增强型OptiMOS® Power-Transistor。 - 符合汽车AEC Q101标准。 - 可承受高达260°C的回流焊峰值温度。 - 工作温度可达175°C。 - 使用绿色封装（无铅）。 - 具有超低导通电阻（Rds(on)）。 - 经过100%雪崩测试。

引脚分配： - PG-TO252-3-11封装，共有3个引脚： - 2号引脚：漏极（Drain） - 1号引脚：栅极（Gate） - 3号引脚：源极（Source）

参数特性： - 漏源电压（VDs）：75V - 最大导通电阻（RDS(on).max）：21.5毫欧 - 连续漏极电流（ID）：30A - 脉冲漏极电流（ID,pulse）：120A - 雪崩能量（EAS）：240毫焦 - 栅源电压（VGs）：±20V - 总功耗（Ptot）：136W - 工作和存储温度（Tj,Tstg）：-55°C至+175°C

功能详解： - 热特性包括结到外壳的热阻（RthJC）和结到环境的热阻（RthJA）。 - 电气特性包括漏源击穿电压（V(BR)DSS）、栅阈值电压（VGs(h)）、栅源漏电流（IGSS）和漏源导通电阻（RDS(on)）。

应用信息： - 该器件适用于需要高功率和高效率的应用场合。

封装信息： - 封装类型为PG-TO252-3-11，这是一种3引脚的封装。