物料型号：IPD70N04S3-07
器件简介：
- 这是一种N通道增强型功率晶体管，符合汽车AEC Q101标准，适用于175°C的工作温度和260°C的峰值回流温度。
- 采用绿色封装（符合RoHS标准），100%经过雪崩测试。
引脚分配：
- 漏极：引脚2
- 栅极：引脚1
- 源极：引脚3
参数特性：
- 漏源击穿电压（VDs）：40V
- 导通电阻（RDS(on).max）：最大6.0毫欧
- 连续漏源电流（ID）：在25°C和10V栅源电压下为82A，在100°C时为58A
- 雪崩能量（EAS）：单个脉冲下，50A时为145毫焦
- 栅源电压（VGs）：±20V
- 总功耗（Ptot）：在25°C时为79W
- 工作和存储温度（T,Tstg）：-55°C至+175°C
功能详解：
- 热特性包括结到外壳的热阻（RthJC）为1.9 K/W。
- 电气特性包括静态特性和动态特性，如输入电容、输出电容、反向传输电容、开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间和下降时间。
- 栅极电荷特性包括栅源电荷、栅漏电荷和总栅极电荷。
应用信息：
- 该器件适用于汽车应用，并且符合相关的环境类别和测试标准。
封装信息：
- 封装类型为PG-TO252-3-11，标记为QN0407。
