物料型号：IPD90N03S4L-02
封装信息：PG-TO252-3-11，标记为4N03L02
器件简介：
- N通道增强型功率晶体管
- 汽车AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
- 工作温度达175°C
- 极低的导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
引脚分配：
- drain pin 2
- gate pin 1
- source pin 3
参数特性：
- 连续漏源电流(I_D)：90A
- 雪崩能量(EAS)：240mJ
- 雪崩电流(IAS)：90A
- 栅源电压(V_Gs)：±16V
- 总功耗(P_tot)：136W
- 工作和存储温度(Tj,T_stg)：-55°C至+175°C
功能详解：
- 热特性包括结到外壳的热阻(RthJC)：1.1K/W
- 电气特性包括漏源击穿电压(V(BR)DSS)：30V
- 栅阈值电压(V_Gs(th))：1.0V至2.2V
- 栅源漏电流(IGsS)：1nA至100nA
- 漏源导通电阻(RDS(on))：在特定条件下为2.2mΩ至2.6mΩ
应用信息：
- 该晶体管适用于需要高功率和高效率的应用场合，如电动汽车、工业驱动等。
