IPD90N04S3H4ATMA1

IPD90N04S3H4ATMA1

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    TO-252(DPAK)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
IPD90N04S3H4ATMA1 数据手册
IPD90N04S3H4ATMA1
物料型号:IPD90N04S3-H4

器件简介:OptiMOS®-T Power-Transistor,具有N通道增强型模式,汽车AEC Q101认证,MSL1可承受高达260°C的峰值回流焊接,工作温度175°C,绿色封装(符合RoHS)。


引脚分配:漏极pin2,栅极pin1,源极pin3。


参数特性:连续漏极电流90A,脉冲漏极电流360A,雪崩能量330mJ,总雪崩电流90A,栅源电压+20V,总功耗115W,工作和储存温度范围-55°C到+175°C。


功能详解:Infineon的IPD90N04S3-H4是一款N通道增强型功率晶体管,具有高电流承载能力,低导通电阻,以及良好的热性能。

适用于汽车行业和其他需要高可靠性和高温操作的应用。


应用信息:该器件适用于汽车行业,也适用于需要高电流和高温操作的其他领域。


封装信息:PG-TO252-3-11,符合RoHS标准的绿色封装。


更多详细信息,如热特性、电气特性、动态特性、门极电荷特性、反向二极管特性等,都包含在PDF文档中。
IPD90N04S3H4ATMA1 价格&库存

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IPD90N04S3H4ATMA1
  •  国内价格
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  • 200+7.08410
  • 500+5.66720
  • 1000+4.72270

库存:0