IPDD60R190G7XTMA1

物料型号：IPDD60R190G7

器件简介：600V CoolMOSTM G7 SJ Power Device，使用C7 GOLD CoolMOS™技术，4针Kelvin源能力和DDPAK封装的改进热性能，适用于高电流拓扑结构，如高达3kW的PFC。

引脚分配： - 6-10、Tab：漏极 - 源极：引脚3、4、5 - 门极：引脚1、2

参数特性： - 最大漏源电压(VDs@T max)：650V - 导通电阻(RoS(on).max)：190mΩ - 电荷(QQ.typ)：18nC - 脉冲漏极电流(lo.pulse)：36A - 150°C时的连续漏极电流(T<150°C lD.continuous)：19A - 输出电荷(Eoss@400V)：2.17mΩ·nC - 体二极管di/dt：680A/s

功能详解： - 采用C7 GOLD CoolMOS™技术，提供最佳FOM ($R_{DS(on)}^{} E_{oss }$ 和 $R_{DS(on)}^{} Q_{\\theta}$) - 适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC） - 通过Kelvin源减少寄生源感抗，提高效率 - DDPAK封装内置第四针Kelvin源配置和低热阻 - 符合MSL1标准，无铅且易于视觉检查 - 与无铅芯片贴装工艺结合的DDPAK表面贴装封装提高了热性能

应用信息：适用于高功率/性能SMPS的PFC阶段和PWM阶段（TTF、LLC），例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能。

封装信息：PG-HDSOP-10-1，标记为60R190G7。

数据手册最终版本为Rev. 2.1，发布日期为2020年10月27日。