物料型号：IPDD60R190G7
器件简介：600V CoolMOSTM G7 SJ Power Device，使用C7 GOLD CoolMOS™技术，4针Kelvin源能力和DDPAK封装的改进热性能，适用于高电流拓扑结构，如高达3kW的PFC。
引脚分配：
- 6-10、Tab：漏极
- 源极：引脚3、4、5
- 门极：引脚1、2
参数特性：
- 最大漏源电压(VDs@T max)：650V
- 导通电阻(RoS(on).max)：190mΩ
- 电荷(QQ.typ)：18nC
- 脉冲漏极电流(lo.pulse)：36A
- 150°C时的连续漏极电流(T<150°C lD.continuous)：19A
- 输出电荷(Eoss@400V)：2.17mΩ·nC
- 体二极管di/dt：680A/s
功能详解：
- 采用C7 GOLD CoolMOS™技术，提供最佳FOM ($R_{DS(on)}^{} E_{oss }$ 和 $R_{DS(on)}^{} Q_{\\theta}$)
- 适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）
- 通过Kelvin源减少寄生源感抗，提高效率
- DDPAK封装内置第四针Kelvin源配置和低热阻
- 符合MSL1标准，无铅且易于视觉检查
- 与无铅芯片贴装工艺结合的DDPAK表面贴装封装提高了热性能
应用信息：适用于高功率/性能SMPS的PFC阶段和PWM阶段（TTF、LLC），例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能。
封装信息：PG-HDSOP-10-1，标记为60R190G7。
数据手册最终版本为Rev. 2.1，发布日期为2020年10月27日。
