IPI180N10N3GXKSA1

数据手册：

IPI180N10N3GXKSA1 数据手册

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IPI180N10N3GXKSA1

PDF文档中包含的物料型号是Si2301DS。

器件简介表明Si2301DS是一款N沟道功率MOSFET，具有30V的电压等级，导通电阻为2.1欧姆，适用于需要高效率和低导通电阻的应用。

引脚分配为G-D-S，其中G代表栅极，D代表漏极，S代表源极。

参数特性包括最大漏极电流为-2.1A，最大栅源电压为±20V，最大工作温度为150°C。

功能详解说明Si2301DS内部集成了动态负载调制功能，可以减少开关损耗并提高效率。

应用信息显示该器件适用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用，如电源适配器、LED照明和电机驱动。

封装信息为SO8和PowerPAK两种封装形式。

IPI180N10N3GXKSA1 价格&库存

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