IPL65R130C7AUMA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
PowerTSFN4
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IPL65R130C7AUMA1 数据手册

IPL65R130C7 MOSFET 650VCoolMOSªC7PowerTransistor ThinPAK8x8 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. CoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theproductportfolio providesallbenefitsoffastswitchingsuperjunctionMOSFETsoffering betterefficiency,reducedgatecharge,easyimplementationand outstandingreliability. Features •IncreasedMOSFETdv/dtruggedness •BetterefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •ThinPAKSMDPackagewithverylowparasiticinductancetoenablefast andreliableswitchingwithminimumofsizetoincreasepower-density •Easytouse/driveduetodriversourcepinforbettercontrolofthegate. •Pb-freeplating,halogenfreemoldcompound •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) Drain Pin 5 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Power Source Pin 3,4 Benefits •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Enablinghigherfrequency/increasedpowerdensitysolutions •Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements •Highersystemreliabilityduetoloweroperatingtemperatures Potentialapplications PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Server, Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 700 V RDS(on),max 130 mΩ Qg,typ 35 nC ID,pulse 75 A Eoss @ 400V 4.2 µJ Body diode diF/dt 55 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPL65R130C7 PG-VSON-4 65C7130 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-08-29 650VCoolMOSªC7PowerTransistor IPL65R130C7 TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Final Data Sheet 2 Rev.2.1,2017-08-29 650VCoolMOSªC7PowerTransistor IPL65R130C7 1Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current1) Values Unit Note/TestCondition 15 11 A TC=25°C TC=100°C - 75 A TC=25°C - - 89 mJ ID=7.1A; VDD=50V EAR - - 0.44 mJ ID=7.1A; VDD=50V Avalanche current, single pulse IAS - - 7.1 A - MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 100 V/ns VDS=0...400V Gate source voltage (static) VGS -20 - 20 V static; Gate source voltage (dynamic) VGS -30 - 30 V AC (f>1 Hz) Power dissipation Ptot - - 102 W TC=25°C Storage temperature Tstg -40 - 150 °C - Operating junction temperature Tj -40 - 150 °C - Mounting torque - - - n.a. Ncm - IS - - 15 A TC=25°C IS,pulse - - 75 A TC=25°C Reverse diode dv/dt dv/dt - - 1.5 V/ns VDS=0...400V,ISD

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IPL65R130C7AUMA1

物料型号：IPL65R130C7

器件简介：650V CoolMOSTM C7 Power Transistor，由Infineon Technologies生产，采用CoolMOS TM技术，这是一种为高电压功率MOSFET设计的革命性技术，基于超结（SJ）原理。

引脚分配： - Drain：引脚5 - Driver Source Pin：引脚2 - Power Source Pin：引脚3, 4

参数特性： - VDs @Tjmax：700V - Ros(on).max：130mΩ - Qg.typ：35nC - Io.pulse：75A - Eoss @ 400V：4.2FJ - Body diode di/dt：55A/s

功能详解： - 提供了更高的系统效率，通过降低开关损耗来实现。 - 允许更高频率/增加功率密度的解决方案。 - 由于减少了冷却需求，从而节省了系统成本和尺寸。 - 由于更低的工作温度，提高了系统的可靠性。

应用信息： - 适用于例如计算、服务器、电信、UPS和太阳能的PFC阶段和硬开关PWM阶段。

封装信息： - ThinPAK 8x8封装，具有增加的MOSFET dv/dt鲁棒性和可靠的开关特性，以及易于使用/驱动的特性。

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