物料型号:IPN50R650CE
器件简介:
- CoolMOS™是英飞凌技术公司首创的用于高电压功率MOSFET的革命性技术,基于超结(SJ)原理。
- CoolMOSTM CE是一个价格性能优化的平台,旨在满足消费和照明市场中对成本敏感的应用,同时仍满足最高的效率标准。
- 该系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并提供市场上最佳的成本效益比。
引脚分配:
- 漏极引脚:2
- 栅极引脚:1
- 源极引脚:3
参数特性:
- 漏极-源极最大电压(VDs):550V
- 导通电阻(RoS(on).max):0.65 mΩ
- 漏极电流(lo):9A
- 栅极电荷(g.typ):15nC
- 脉冲漏极电流(lD.pulse):19A
- 400V时的输出电容(400V osS):1.69 nF
功能详解:
- 极低损耗,由于非常低的FOM RdsonQg和Eoss
- 非常高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤素模具化合物
- 适用于标准等级应用
应用信息:
- 适用于适配器、充电器和照明领域
- 对于MOSFET并联,通常建议在栅极上使用铁氧体珠或单独的totem poles。
封装信息:
- 封装类型:PG-SOT223
- 标记:50S650
其他信息:
- 数据手册还包含了最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、测试电路、封装轮廓、附录A(相关链接)、修订历史、商标、免责声明等详细信息。