IPN65R1K5CE

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
SOT-223
描述：

数据手册：

下载IPN65R1K5CE.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

IPN65R1K5CE 数据手册

IPN65R1K5CE MOSFET 650VCoolMOSªCEPowerTransistor PG-SOT223 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™CEisa price-performanceoptimizedplatformenablingtotargetcostsensitive applicationsinConsumerandLightingmarketsbystillmeetinghighest efficiencystandards.Thenewseriesprovidesallbenefitsofafast switchingSuperjunctionMOSFETwhilenotsacrificingeaseofuseand offeringthebestcostdownperformanceratioavailableonthemarket. Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications Drain Pin 2 Gate Pin 1 Applications Source Pin 3 Adapter,ChargerandLighting Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 700 V RDS(on),max 1.5 Ω Qg,typ 10.5 nC ID,pulse 9.2 A Eoss@400V 1.2 µJ Body diode di/dt 500 A/µs Type/OrderingCode Package Marking IPN65R1K5CE PG-SOT223 65S1K5 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-04-29 650VCoolMOSªCEPowerTransistor IPN65R1K5CE TableofContents Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Appendix A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Final Data Sheet 2 Rev.2.0,2016-04-29 650VCoolMOSªCEPowerTransistor IPN65R1K5CE 1Maximumratings atTj=25°C,unlessotherwisespecified Table2Maximumratings Parameter Symbol Continuous drain current1) Values Unit Note/TestCondition 5.2 3.3 A TC = 25°C TC = 100°C - 9.2 A TC = 25°C - - 26 mJ ID = 0.6A; VDD = 50V EAR - - 0.10 mJ ID = 0.6A; VDD = 50V Avalanche current, repetitive IAR - - 0.6 A - MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 50 V/ns VDS=0...480V Gate source voltage VGS -20 -30 - 20 30 V static; AC (f>1 Hz) Power dissipation Ptot - - 5.0 W TC=25°C Operating and storage temperature Tj,Tstg -40 - 150 °C - Continuous diode forward current IS - - 1.2 A TC=25°C IS,pulse - - 9.2 A TC = 25°C dv/dt - - 15 V/ns VDS=0...400V,ISD

下载 PDF

IPN65R1K5CE

物料型号：IPN65R1K5CE

器件简介： - 650V CoolMOSTM CE Power Transistor，由Infineon Technologies生产，采用CoolMOS TM技术，这是一种为高电压功率MOSFET设计的革命性技术，基于超结（SJ）原理。 - CoolMOSTM CE是一个性价比优化的平台，旨在满足消费和照明市场的成本敏感应用，同时仍满足最高的效率标准。

引脚分配： - Drain Pin 2（漏极引脚2） - Gate Pin 1（栅极引脚1） - Source Pin 3（源极引脚3）

参数特性： - 极低的损耗，由于非常低的FOM RdsonQg和Eoss - 非常高的换向鲁棒性 - 易于使用/驱动 - 无铅镀层，无卤素模具化合物 - 适用于标准等级应用

功能详解： - 适用于适配器、充电器和照明应用。对于并联MOSFET，通常推荐在栅极上使用铁氧体珠或分开的图腾柱。

应用信息： - 该器件适用于需要快速开关的高效率应用，如适配器、充电器和照明。

封装信息： - PG-SOT223封装，标记为65S1K5。

电气特性： - 包括最大额定值、热特性、静态特性、动态特性、门极电荷特性、反向二极管特性等详细参数。

IPN65R1K5CE 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“IPN65R1K5CE”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货