物料型号：
- IPB80N06S4L-07
- IPI80N06S4L-07
- IPP80N06S4L-07
器件简介：
- OptiMOS®-T2是N沟道增强型功率晶体管，符合RoHS标准，并通过AECO认证。
引脚分配：
- 2/Tab：漏极(Drain)
- 1：栅极(Gate)
- 3：源极(Source)
参数特性：
- 漏源电压(VDs)：60V
- 漏极最大连续电流(ID)：80A（25°C时）
- 脉冲漏极电流(ID,pulse)：320A（25°C时）
- 雪崩能量(EAS)：71mJ（40A时）
- 工作温度范围：-55°C至175°C
功能详解：
- 器件具有高功率耗散能力，最大为79W。
- 热阻特性包括结到外壳(RthJC)和结到环境(RthJA)。
- 电气特性包括漏源击穿电压、栅极阈值电压、栅源漏电流等。
应用信息：
- 器件适用于需要高功率和高效率的应用场合。
封装信息：
- 提供了三种不同的封装类型：PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1和PG-TO220-3-1。
