IPT044N15N5ATMA1

物料型号：IPT044N15N5 器件简介：N-通道MOSFET，采用Infineon的OptiMOSTM技术，具有极低的导通电阻RDS(on)和优越的热阻。

引脚分配：Gate Pin 1，Source Pin 2-8，Drain Tab。

参数特性：Vos为150V，RDS(on)最大值为4.4毫欧，ID连续漏极电流为179A，Qoss为188纳库，QG为67纳库。

功能详解：该器件经过100%雪崩测试，符合Pb-free和RoHS标准，且完全符合JEDEC工业应用标准。

应用信息：广泛应用于工业应用，如电机驱动、电源转换等。

封装信息：PG-HSOF-8封装，详细尺寸和标记信息可在数据手册中找到。