物料型号:IPT054N15N5
器件简介:N通道MOSFET,具有极低的导通电阻RDS(on),卓越的热阻,100%经过雪崩测试,无铅引脚镀层,符合RoHS标准。
引脚分配:1-栅极,2-8-源极,D-漏极
参数特性:
- VDS:150V
- RDS(on),max:5.4mΩ
- ID:143A
- Qoss:155nC
- QG:55nC
功能详解:OptiMOSTM IPT054N15N5是一款N通道MOSFET,具有极低的导通电阻和卓越的热阻,适用于工业应用。
应用信息:该器件已完全按照JEDEC标准进行工业应用验证,符合IEC61249-2-21标准,无卤素。
封装信息:PG-HSOF-8封装,标记为054N15N5。