物料型号:
- IPW60R099P6
- IPP60R099P6
- IPA60R099P6
器件简介:
CoolMOS™ P6系列是英飞凌科技根据超结(SJ)原理设计的高电压功率MOSFET的革命性技术。该系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新,提供了快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和冷却。
引脚分配:
- Drain(漏极):引脚2,标签
- Gate(栅极):引脚1
- Source(源极):引脚3
参数特性:
- VDs @Tj.max(最大结温下的漏源电压):650V
- Ros(on).max(最大导通电阻):99mΩ
- Qg.typ(典型栅极电荷):70nC
- lD.pulse(脉冲漏电流):109A
- Eoss@400V(400V时的输出电荷):8.8FJ
- Body diode di/dt(体二极管di/dt):300A/us
功能详解:
CoolMOS™ P6系列提供增强的MOSFET dv/dt耐量、极低的损耗、高耐量、易于使用/驱动、无铅镀层、无卤素模具化合物,并且符合JEDEC工业级应用标准。
应用信息:
适用于例如PC Silverbox、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC阶段、硬开关PWM阶段和共振开关阶段。
封装信息:
- TO-220FP
- TO-247
- TO-220