IPZ60R060C7XKSA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
TO-247-4
描述：
MOSFETN-CH600V35ATO247-4

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IPZ60R060C7XKSA1 数据手册

MOSFET MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor CoolMOS™C7 600VCoolMOS™C7PowerTransistor IPZ60R060C7 DataSheet Rev.2.0 Final PowerManagement&Multimarket 600VCoolMOS™C7PowerTransistor IPZ60R060C7 1Description PG-TO247-4 CoolMOS™C7isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. 600VCoolMOS™C7seriescombinestheexperienceoftheleadingSJ MOSFETsupplierwithhighclassinnovation. The600VC7isthefirsttechnologyeverwithRDS(on)*Abelow1Ohm*mm². Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandhighperformanceLLC) •IncreasedMOSFETdv/dtruggednessto120V/ns •IncreasedefficiencyduetobestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg •BestinclassRDS(on)/package •Easytouse/drive •Pb-freeplating,halogenfreemoldcompound •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) •4pinkelvinsourceconcept Drain Pin 1 Gate Pin 4 Driver Source Pin 3 Power Source Pin 2 Benefits •IncreasedeconomiesofscalebyuseinPFCandPWMtopologiesinthe application •Higherdv/dtlimitenablesfasterswitchingleadingtohigherefficiency •Enablinghighersystemefficiencybylowerswitchinglosses •Increasedpowerdensitysolutionsduetosmallerpackages •Suitableforapplicationssuchasserver,telecomandsolar •Upto0.5%betterfullloadefficiency@100kHzcomparedtoconventional 3pinpackage Applications PFCstagesandPWMstages(TTF,LLC)forhighpower/performance SMPSe.g.Computing,Server,Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 60 mΩ Qg.typ 68 nC ID,pulse 135 A ID,continuous @ Tj1 Hz) Power dissipation Ptot - - 162 W TC=25°C Storage temperature Tstg -55 - 150 °C - Operating junction temperature Tj -55 - 150 °C - Mounting torque - - - 60 Ncm M3 and M3.5 screws Continuous diode forward current IS - - 35 A TC=25°C Diode pulse current2) IS,pulse - - 135 A TC=25°C Reverse diode dv/dt3) dv/dt - - 20 V/ns VDS=0...400V,ISD

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IPZ60R060C7XKSA1

物料型号：IPZ60R060C7

器件简介：CoolMOS™ C7是英飞凌科技推出的600V CoolMOS™ C7系列高压功率MOSFET，采用超结（SJ）原理，具有革命性的技术。

引脚分配：文档中提到了4pin kelvin源概念，具体引脚分配如下： - Gate（栅极）：引脚4 - Driver（驱动）：源引脚3 - Source Pin 2（源引脚2）：电源 - Source Pin 3（源引脚3）：电源

参数特性：文档中列出了关键性能参数，包括： - VDs(最大漏源电压)：650V - Ros(on)(最大导通电阻)：60mΩ - Qg(典型栅电荷)：68nC - Id(脉冲电流)：135A - Id(连续电流)：54A - Eoss(输入电容与导通电阻乘积)：8.1FJ

功能详解：CoolMOS™ C7系列适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC），具有更高的MOSFET dv/dt耐量（120V/ns），易于使用和驱动，无铅镀层，无卤素模具化合物，符合JEDEC工业级应用标准。

应用信息：适用于服务器、电信和太阳能等应用的PFC阶段和PWM阶段（TTF、LLC）的高性能SMPS。

封装信息：封装类型为PG-TO 247-4，型号标记为60C7060。

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