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IQE013N04LM6ATMA1

IQE013N04LM6ATMA1

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
PowerTDFN8
描述：
表面贴装型 N 通道 40 V 31A（Ta），205A（Tc） 2.5W（Ta），107W（Tc） PG-TSON-8-4

数据手册：

下载IQE013N04LM6ATMA1.pdf

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数据手册
价格&库存

IQE013N04LM6ATMA1 数据手册

IQE013N04LM6ATMA1

物料型号：IQE013N04LM6 器件简介：英飞凌的OptiMOSTM系列MOSFET，适用于同步整流，具有极低导通电阻、优越的热阻、100%雪崩测试等特性。

引脚分配：Drain Pin 5-8，Source Pin 1-3。

参数特性：导通电阻1.35 mΩ（最大值），连续漏极电流205 A，雪崩能量255 mJ（单脉冲）。

功能详解：N沟道逻辑电平，超低导通电阻，高效率同步整流，符合JEDEC工业应用标准。

应用信息：适用于工业同步整流应用。

封装信息：PG-TSON-8-4封装，无铅引脚镀层，符合RoHS标准，无卤素。

IQE013N04LM6ATMA1 价格&库存

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IQE013N04LM6ATMA1

型号：IQE013N04LM6ATMA1
品牌：英飞凌(INFINEON)
封装：PowerTDFN8
描述：场效应管(MOSFET) IQE013N04LM6ATMA1 TSON-8-EP(3.3x3.3)

国内价格
1+47.80310
10+31.86880
30+26.55730

库存：0

IQE013N04LM6ATMA1

国内价格
10+15.12090
100+14.36069
250+13.36096
500+12.15816

库存：4854

IQE013N04LM6ATMA1

型号：IQE013N04LM6ATMA1
品牌：INFINEON
封装：PowerTDFN8
描述：功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, 表面安装

国内价格
1+17.70258
10+13.14642
100+9.89541
500+9.02927
1000+8.94621
5000+7.40376

库存：7826

IQE013N04LM6ATMA1

型号：IQE013N04LM6ATMA1
品牌：INFINEON TECHNOLOGIES
封装：PowerTDFN8
描述：表面贴装型 N 通道 40 V 31A（Ta），205A（Tc） 2.5W（Ta），107W（Tc） PG-TSON-8-4

国内价格香港价格
5000+7.786295000+1.00759
10000+7.6863210000+0.99465

库存：5895

IQE013N04LM6ATMA1

型号：IQE013N04LM6ATMA1
品牌：INFINEON
封装：PowerTDFN8
描述：

库存：0

IQE013N04LM6ATMA1

型号：IQE013N04LM6ATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：PowerTDFN8
描述：场效应管(MOSFET) 107W；2.5W 40V 205A；31A 1个N沟道 TSON-8-EP(3.3x3.3)

国内价格
1+8.98700
100+7.82100
1250+7.10600
2500+6.84200
5000+6.60000

库存：4687

IQE013N04LM6ATMA1

型号：IQE013N04LM6ATMA1
品牌：INFINEON
封装：PowerTDFN8
描述：

库存：0

IQE013N04LM6ATMA1

国内价格
1+13.97520
10+11.86920
30+10.54080
100+9.19080

库存：194

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