物料型号:IR2125(S) & (PbF)
器件简介:
- IR2125(S)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有过流限制保护电路。
- 采用专有的HVIC和抗锁定CMOS技术,实现坚固的单片结构。
- 逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至2.5V逻辑电平。
引脚分配:
- VCC:逻辑和栅极驱动电源
- IN:栅极驱动输出(HO)的逻辑输入,与HO同相
- ERR:多功能引脚,包括状态报告、线性模式定时和循环逻辑关闭
- COM:逻辑地
- VB:高侧浮动电源
- HO:高侧栅极驱动输出
- VS:高侧浮动电源返回
- CS:流入电流感应比较器的电流感应输入
参数特性:
- 浮动通道设计用于自举操作
- 完全运行至+500V
- 容许负瞬态电压dV/dt免疫
- 栅极驱动电压范围从12至18V
- 过流检测和限制回路,限制驱动功率晶体管电流
- VOFFSET最大500V
- IO+/- 1A / 2A
- VOUT 12 - 18V
- VCSth 230 mV
- ton/off (典型值) 150 & 150 ns
功能详解:
- 过流保护电路检测驱动功率晶体管的过流并限制栅极驱动电压。
- 通过外部电容器编程循环关闭,直接控制检测过流限制条件和锁定关闭之间的时间间隔。
- 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,适用于高侧或低侧配置,运行电压高达500伏。
应用信息:
- 适用于需要高电压和高速开关的应用,例如电机驱动、电源转换等。
封装信息:
- 8引脚PDIP和16引脚SOIC(宽体)封装。
- 也提供无铅版本。