物料型号：IR2125(S) & (PbF)
器件简介：
- IR2125(S)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过流限制保护电路。
- 采用专有的HVIC和抗锁定CMOS技术，实现坚固的单片结构。
- 逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至2.5V逻辑电平。
引脚分配：
- VCC：逻辑和栅极驱动电源
- IN：栅极驱动输出(HO)的逻辑输入，与HO同相
- ERR：多功能引脚，包括状态报告、线性模式定时和循环逻辑关闭
- COM：逻辑地
- VB：高侧浮动电源
- HO：高侧栅极驱动输出
- VS：高侧浮动电源返回
- CS：流入电流感应比较器的电流感应输入
参数特性：
- 浮动通道设计用于自举操作
- 完全运行至+500V
- 容许负瞬态电压dV/dt免疫
- 栅极驱动电压范围从12至18V
- 过流检测和限制回路，限制驱动功率晶体管电流
- VOFFSET最大500V
- IO+/- 1A / 2A
- VOUT 12 - 18V
- VCSth 230 mV
- ton/off (典型值) 150 & 150 ns
功能详解：
- 过流保护电路检测驱动功率晶体管的过流并限制栅极驱动电压。
- 通过外部电容器编程循环关闭，直接控制检测过流限制条件和锁定关闭之间的时间间隔。
- 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，适用于高侧或低侧配置，运行电压高达500伏。
应用信息：
- 适用于需要高电压和高速开关的应用，例如电机驱动、电源转换等。
封装信息：
- 8引脚PDIP和16引脚SOIC(宽体)封装。
- 也提供无铅版本。
