物料型号: IRF1407SPbF 和 IRF1407LPbF
器件简介: 这些是来自International Rectifier的高级HEXFET®功率MOSFET，采用先进的处理技术实现极低的导通电阻。它们以快速开关速度和坚固的器件设计而闻名，为设计者提供了一个在各种应用中都非常高效可靠的设备。
引脚分配: 对于D2Pak封装，引脚从左到右依次为G(栅极)、D(漏极)、S(源极)。对于TO-262封装，引脚从左到右依次为G、S、D。
参数特性: VDSS为75V，RDS(on)为0.0078欧姆，ID为100A。它还包括最大功耗、门极到源极电压、雪崩能量、恢复时间等参数。
功能详解: 这些MOSFET具有先进的工艺技术、超低导通电阻、动态dv/dt评级、高达175°C的工作温度、快速开关和允许高达Tjmax的重复雪崩。
应用信息: 适用于高电流应用，由于其低内部连接电阻，可以在典型的表面贴装应用中耗散高达2.0W的功率。对于低剖面应用，也有通孔版本(如IRF1407L)。
封装信息: 提供了D2Pak和TO-262两种封装类型，D2Pak是表面贴装功率封装，能够容纳HDX-4尺寸的芯片，提供最高的功率能力和最低的导通电阻。TO-262是管式封装，适用于50个标准包装。
