IRF5805

物料型号：IRF5805PbF

器件简介：这是一个采用先进工艺技术制成的超低导通电阻的P沟道MOSFET，适用于电池和负载管理应用。

引脚分配：文档提供了顶视图，展示了TSOP-6封装的引脚布局。

参数特性： - 漏源电压(Vpss)：-30V - 最大导通电阻(Rps(on) max)：0.098欧姆（在VGs=-10V时）和0.165欧姆（在VGs=-4.5V时） - 连续漏电流(ID)：-3.8A（在VGs=-10V时）和-3.0A（在VGs=-4.5V时）

功能详解：文档详细描述了该MOSFET的电气特性，包括其在不同条件下的导通电阻、阈值电压、跨导、漏源漏电流等。

应用信息：适用于空间受限的PCB应用，具有独特的热设计和较低的导通电阻，可以提高电流处理能力。

封装信息：TSOP-6封装，提供了详细的尺寸和标记信息。