IRF6611

物料型号：IRF6611

器件简介： - IRF6611结合了最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术和先进的DirectFET™封装技术，实现了在SO-8封装尺寸下最低的导通电阻。 - DirectFET封装与现有的电源应用布局几何形状兼容，并且可以进行双面冷却，以最大化电源系统中的热传递，比以前的最佳热阻提高了80%。

引脚分配： - D：漏极 - G：栅极 - S：源极

参数特性： - 绝对最大额定值包括漏极到源极电压（30V）、栅极到源极电压（+20V）等。 - 静态参数包括漏极到源极导通电阻（RDs(on)）、栅极阈值电压（VGs(t)）等。 - 栅极电荷（Qg）、开关延迟时间（td(on)、td(off)）等动态参数也有详细说明。

功能详解： - IRF6611平衡了低电阻和低电荷，以及超低封装电感，以减少导通和开关损耗。 - 该产品非常适合用于高效率的DC-DC转换器，为新一代处理器提供电源，这些处理器在更高频率下运行。

应用信息： - 该器件适用于CPU核心DC-DC转换器，优化了同步FET应用的参数，如RDS(on)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通免疫。

封装信息： - DirectFET™封装允许双面冷却，与现有的表面贴装技术兼容。 - 封装的尺寸和标记信息也在文档中详细说明。