IRF6616

物料型号：IRF6616 器件简介：IRF6616结合了HEXFET Power MOSFET硅技术与DirectFET封装技术，实现了低导通和开关损耗，适用于高效率DC-DC转换器。 引脚分配：文档提供了DirectFET封装的引脚布局，包括门极(G)、漏极(D)和源极(S)。 参数特性：包括最大漏源电压(Vpss)、最大栅源电压(VGS)、静态漏源导通电阻(Ros(on))、栅电荷(Qg)、门极阈值电压(Vgs(th))等。 功能详解：IRF6616适用于次级侧同步整流应用，最高100W，也可以用于某些非隔离同步降压应用。 应用信息：该器件适用于高效率DC-DC转换器，尤其是为新一代处理器提供电源的应用。 封装信息：DirectFET封装兼容现有的布局几何结构、PCB组装设备和焊接技术。