IRF6726MTRPBF

物料型号：IRF6726MPbF

器件简介：IRF6726MPbF结合了最新的HEXFET® Power MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装技术，实现了在具有MICRO-8尺寸的封装中最低的导通电阻，并且封装高度仅为0.7毫米。DirectFET封装兼容现有的功率应用布局、PCB组装设备和蒸汽相、红外或对流焊接技术。

引脚分配：文档中提供了DirectFET ISOMETRIC的适用性，包括DirectFET轮廓和基板轮廓的详细信息。

参数特性：文档列出了绝对最大额定值，包括漏源电压、栅源电压、连续漏电流等。还包括了静态参数，如漏源击穿电压、栅源阈值电压、导通电阻等。

功能详解：IRF6726MPbF平衡了低电阻和低电荷以及超低封装电感，以减少导通和开关损耗。这些降低的总损耗使其非常适合用于高效率的DC-DC转换器，为新一代在更高频率下运行的处理器供电。

应用信息：该产品针对12伏总线转换器中的同步降压操作进行了优化，包括Rds(on)和栅极电荷等关键参数，以最小化损耗。

封装信息：文档提供了DirectFET封装的详细信息，包括热阻、热响应和安装指南。