- 物料型号: IRF7665S2TRPbF
- 器件简介: 该MOSFET专为Class-D音频放大器应用设计，采用最新工艺技术，具有低导通电阻、优化的栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以提高效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)性能。
- 引脚分配: 未在文档中明确列出，但通常包括栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。
- 参数特性:
- 漏源电压(Vps): 100V
- 栅源导通电阻(Rps(on))典型值: 51mΩ
- 栅极电荷(Qg)典型值: 8.3nC
- 内部栅极电阻(RG(int))典型值: 3.5Ω
- 功能详解: 利用DirectFET™封装技术，与传统的SOIC封装相比，具有更低的寄生电感和电阻，有助于提高EMI性能并减少快速电流瞬变时伴随的电压振铃。该封装兼容现有的布局几何形状、PCB组装设备和焊接技术。
- 应用信息: 该MOSFET可提供高达100W每通道到8Ω负载，无需散热器，且兼容双面冷却。
- 封装信息: DirectFET™封装技术，允许更高效的热传递，提高热阻和功率耗散。
