IRF7705TR

厂商：
EUPEC(英飞凌)
封装：
TSSOP-8
描述：
MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP

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IRF7705TR 数据手册

PD - 94001A IRF7705 HEXFET® Power MOSFET l l l l l Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile ( < 1.2mm) Available in Tape & Reel VDSS Ω) RDS(on) max (mΩ) ID -30V 18 @VGS = -10V 30 @VGS = -4.5V -8.0A -6.0A Description HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for, provides the de- signer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management. 1 8 D 2 7 3 G 4 1= 2= 3= 4= D S S G 6 S 5 8= 7= 6= 5= D S S D TSSOP-8 The TSSOP-8 package has 45% less footprint area than the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (

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IRF7705TR

物料型号：IRF7705 器件简介：IRF7705 是一款 HEXFET® Power MOSFET，具有超低导通电阻的 P-Channel MOSFET，采用小型的 SOIC 封装，适合在电池和负载管理等应用中使用。

引脚分配：G（门极）- 4号引脚，D（漏极）- 5、1、2、3号引脚，S（源极）- 6、7、8号引脚。

参数特性：V(BR)DSS（漏极-源极击穿电压）最小值为-30V，RDS(on)（导通电阻）在 VGs=-10V 时最大为 18mΩ，在 VGs=-4.5V 时为 30mΩ。

功能详解：该器件利用先进的加工技术实现极低的单位硅面积导通电阻，结合坚固的器件设计，提供高效率和高可靠性。

应用信息：适用于电池和负载管理，便携式电子设备和 PCMCIA 卡等空间受限的应用。

封装信息：TSSOP-8 封装，比标准 SO-8 封装面积小 45%，低高度小于 1.2mm。

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