IRF7752GTRPBF

物料型号：IRF7752GPbF

器件简介：这是由International Rectifier生产的HEXFET®功率MOSFET。它利用先进的加工技术实现了极低的导通电阻，并以其坚固的设备设计而闻名，为电池和负载管理提供了非常高效可靠的设备。

引脚分配：1-D1, 2-S1, 3-S1, 4-G1, 5-G2, 6-S2, 7-S2, 8-D2。封装类型为TSSOP-8。

参数特性： - 漏极-源极电压(V_DSS)：30V - 最大导通电阻(Rps(on) max)：在VGs=10V时为0.030欧姆，在VGs=4.5V时为0.036欧姆 - 连续漏极电流(ID)：在Vas @ 10V时为4.6A，在Vas @ 70°C时为3.7A

功能详解：该MOSFET具有极低的导通电阻，适用于需要高效率和高可靠性的电源转换应用。

应用信息：适用于电池和负载管理，特别是在对电路板空间有严格要求的应用中，如便携式电子设备和PCMCIA卡。

封装信息：TSSOP-8封装，具有小于标准SO-8的45%的占用面积，低高度(<1.1mm)使其适合用于非常薄的应用环境。