物料型号：IRF7799L2PbF
器件简介：IRF7799L2PbF是一款DirectFET功率MOSFET，采用HEXFET®技术，具有低导通电阻，适用于高性能隔离式转换器的主开关，优化用于同步整流，具有低传导损耗和高Cdv/dt抗扰度，低轮廓（<0.7mm），支持双面冷却，兼容现有表面贴装技术，工业级合格。
引脚分配：G（栅极），D（漏极），S（源极）
参数特性：
- Vpss：最小250V
- VGs：最大±30V
- Rps(on)：在10V下32mΩ
- Qg tot：110nC
- Qgd：39nC
- Vgs(th)：4.0V
功能详解：该器件适用于高频开关和同步整流应用，具有低总损耗和高热性能，有助于提高系统可靠性，适用于高性能电源转换器。
应用信息：适用于高性能电源转换器，特别是需要隔离式转换器主开关和同步整流的应用。
封装信息：DirectFET2大罐头型封装，标准包装为胶带和卷轴，标准包装数量为4000（IRF7799L2TRPbF）或1000（IRF7799L2TR1PbF）。
封装允许双面冷却，以最大化电源系统中的热传递。
兼容现有布局几何形状、PCB组装设备和蒸汽相、红外或对流焊接技术。
工商网监
湘ICP备2023018690号
