物料型号：IRG4BH20K-L
器件简介：
- 该IGBT具有高短路承受能力，适用于电机控制。
- 它结合了低导通损耗和高开关速度。
- 采用最新一代设计，提供更紧密的参数分布和更高的效率。
引脚分配：
- 引脚1：栅极（GATE）
- 引脚2：漏极（DRAIN）
- 引脚3：源极（SOURCE）
参数特性：
- 集电极-发射极电压（VCES）：1200V
- 连续集电极电流（Ic）：在25°C时为11A，在100°C时为5.0A
- 脉冲集电极电流（ICM）：22A
- 短路承受时间（tso）：10µs
- 栅极-发射极电压（VGE）：+20V
- 反向电压雪崩能量（EARV）：130mJ
- 最大功耗（Pp）：在25°C时为60W，在100°C时为24W
- 工作结温范围：-55至+150°C
功能详解：
- 该IGBT适用于电机控制，具有高短路承受能力和低导通损耗。
- 推荐使用HEXFREDTM超快恢复二极管作为续流二极管，以减少EMI/噪声和开关损耗。
- 提供最高功率密度的电机控制。
应用信息：
- 该IGBT适用于电机控制应用，具有高效率和高功率密度。
封装信息：
- 采用行业标准的TO-262封装。
- 封装尺寸和引脚分配信息详细列出，包括引脚间距和封装尺寸。
