IRLML6402TR

数据手册：

IRLML6402TR 数据手册

IRLML6402PbF l l l l l l l l HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (

IRLML6402TR

物料型号：IRLML6402PbF 器件简介：IRLML6402PbF是一款超低导通电阻的P沟道MOSFET，具有快速开关速度和坚固的器件设计，适用于电池和负载管理。

引脚分配：G（栅极）、D（漏极）、S（源极） 参数特性：导通电阻RDS(on)为0.065Ω，最大漏源电压V(BR)DSS为-20V，栅源阈值电压VGs(th)为-0.40至-1.2V。

功能详解：该器件使用先进的工艺技术实现极低的导通电阻，提供高效的电池和负载管理解决方案。

应用信息：适合在印刷电路板空间有限的应用中使用，如便携式电子设备和PCMCIA卡。

封装信息：Micro3™（SOT-23）封装，具有行业最小的占用面积，低剖面（<1.1mm），适合极薄的应用环境。

IRLML6402TR 价格&库存

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