IRLZ34NPBF

- 物料型号：IRLZ34NPbF - 器件简介：第五代HEXFETs，采用先进的工艺技术，具有极低的导通电阻，快速开关速度和坚固的器件设计。 - 引脚分配：文档中提到了TO-220封装的引脚分配，包括GATE、DRAIN和SOURCE。 - 参数特性： - 连续漏极电流（ID）：30A - 漏极-源极击穿电压（V(BR)DSS）：55V - 静态漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω - 栅极-源极电压（VGs）：±16V - 功能详解：文档详细描述了MOSFET的工作原理，包括其导通和截止特性、开关时间、内部电感、电容等。 - 应用信息：适用于各种应用，特别是商业和工业应用，功率耗散水平约为50瓦特。 - 封装信息：TO-220封装，具有低热阻和低成本，被行业广泛接受。