IRS2106STRPBF

物料型号: IRS2106/IRS21064(S)PbF

器件简介: - 高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器 - 独立高侧和低侧参考输出通道 - 专有HVIC和锁存免疫CMOS技术 - 逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑

引脚分配: - HIN: 高侧栅驱动器输出(HO)的逻辑输入，同相 - LIN: 低侧栅驱动器输出(LO)的逻辑输入，同相 - VSS: 逻辑地(仅限IRS21064) - VB: 高侧浮动供电 - HO: 高侧栅驱动输出 - Vs: 高侧浮动供电返回 - VCC: 低侧和逻辑固定供电 - LO: 低侧栅驱动输出 - COM: 低侧返回

参数特性: - 浮动通道设计用于自举操作 - 完全操作至+600V - 耐受负瞬态电压，dV/dt免疫 - 栅驱动电源范围10V至20V - 两个通道的欠压锁定 - 3.3V、5V和15V输入逻辑兼容 - 两个通道的匹配传播延迟 - 逻辑和电源地±5V偏移 - 较低di/dt栅驱动器以提高抗噪声能力 - 输出与输入同相(IRS2106) - 符合RoHS

功能详解: - IRS2106/IRS21064提供高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导 - 浮动通道可驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高操作电压600V

应用信息: - 适用于高电压应用中的MOSFET和IGBT驱动

封装信息: - 8-Lead PDIP - 8-Lead SOIC - 14-Lead PDIP - 14-Lead SOIC