ISZ0804NLSATMA1

1. 物料型号： - 型号：ISZ0804NLS - 封装：PG-TSDSON-8 FL - 标记：0804NL

2. 器件简介： - ISZ0804NLS是一款OptiMOSTM 5 Power-Transistor，100 V N-channel MOSFET，适用于高频开关应用，优化用于充电器，100%经过雪崩测试，具有卓越的热阻和逻辑电平特性。该器件无铅镀层，符合RoHS标准，无卤素，符合IEC61249-2-21标准。

3. 引脚分配： - PG-TSDSON-8 FL封装有8个引脚。

4. 参数特性： - 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：100V - 门限电压（VGs(th)）：1.1~2.3V - 零门电压漏极电流（Ipss）：0.1nA至100μA（25°C） - 门源漏电流（IGss）：10nA至100nA - 漏源导通电阻（Rds(on)）：10.3~15.5mΩ - 输入电容（Ciss）：1200~1600pF - 输出电容（Coss）：200~270pF - 反向传输电容（Crss）：10~13pF

5. 功能详解： - ISZ0804NLS具有优秀的热阻性，适合高功率和高频开关应用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能效和减少功率损耗。

6. 应用信息： - 该器件适用于需要高效率和高频率开关的应用，如充电器、电源转换器等。

7. 封装信息： - 封装类型为PG-TSDSON-8 FL，具体尺寸和封装细节请参考PDF文档中的Package Outlines部分。