SGB10N60AATMA1

物料型号：SGB10N60A

器件简介：这是一种采用NPT（非穿透）技术的快速IGBT，与前一代产品相比，其关断损耗降低了75%，并且导通损耗低。

引脚分配：PG-TO-263-3-2封装，具体引脚分配在文档中有详细图示。

参数特性： - 集电极-发射极电压（VCE）：600V - 直流集电极电流（Ic）：在25°C时为20A，100°C时为10.6A - 脉冲集电极电流（Icpuls）：40A - 栅极-发射极电压（VGE）：+20V - 雪崩能量（EAS）：文档未提供具体数值 - 短路承受时间（tsc）：10µs

功能详解： - 该IGBT设计用于电机控制和逆变器应用。 - NPT技术提供了非常紧密的参数分布、高鲁棒性和温度稳定性能以及并行开关能力。

应用信息： - 适用于600V应用的NPT技术。 - 根据JEDEC标准对目标应用进行了认证。 - 无铅引线镀层，符合RoHS标准。

封装信息： - PG-TO-263-3-2封装，提供了详细的尺寸和英寸对照表。