SI4435DYTRPBF

1. 物料型号：Si4435DYPbF，是International Rectifier公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。 2. 器件简介：该器件采用先进的工艺技术，实现了极低的导通电阻，适用于电池和负载管理应用。SO-8封装经过定制化设计，以提高热特性和多芯片能力，适合多种功率应用。 3. 引脚分配：文档提供了SO-8封装的顶视图和引脚分配图。 4. 参数特性：包括最大漏源电压(-30V)、最大连续漏电流(-8.0A至-6.4A，取决于温度)、脉冲漏电流(-50A)、功率耗散(2.5W至1.6W，取决于温度)、栅源电压(±20V)、结温范围(-55至+150°C)等。 5. 功能详解：文档详细列出了电气特性，如击穿电压、静态导通电阻、栅阈值电压、正向跨导、漏源漏电流等。 6. 应用信息：适用于电池和负载管理应用，特别是在需要高效率和低导通电阻的场合。 7. 封装信息：提供了SO-8封装的详细尺寸和标记信息，以及胶带和卷轴的尺寸。