物料型号：SMBTA06UPN
器件简介：
- 高击穿电压
- 低集电极-发射极饱和电压
- 一个封装内有两个（电气上）内部隔离的NPN/PNP晶体管
- 无铅（符合RoHS标准）封装
- 符合AEC Q101标准
引脚分配：
- SC74封装，标记为s2P，引脚配置为1=E, 2=B, 3=C, 4=E, 5=B, 6=C
参数特性：
- 集电极-发射极电压（VCEO）：80V
- 集电极-基极电压（VCBO）：80V
- 发射极-基极电压（VEBO）：4V
- 集电极电流（Ic）：500mA
- 峰值集电极电流（ICM）：1A
- 基极电流（/B）：100mA
- 峰值基极电流（/BM）：200mA
- 总功耗（Ptot）：330mW（在Ts≤115°C时）
- 结温（T）：150°C
- 存储温度（Tstq）：-65°C至150°C
功能详解：
- 直流特性包括击穿电压、截止电流、直流电流增益（hFE）、饱和电压等。
- 交流特性包括过渡频率（fT）和集电极-基极电容（Ccb）。
应用信息：
- 该器件适用于需要高击穿电压和低饱和电压的应用。
封装信息：
- 封装类型为SC74，提供了详细的封装轮廓和尺寸。
