物料型号：SPB11N60S5
器件简介：Cool MOS™ Power Transistor，具有600V的漏源电压(VDS)，和0.38欧姆的导通电阻(RDS(on))，以及11安的连续漏源电流(ID)。
引脚分配：PG-TO263封装，具体引脚分配未在文档中详细说明。
参数特性：
- 具有革命性的高电压技术
- 超低门极电荷
- 周期性雪崩额定
- 极高的dv/dt额定值
- 超低有效电容
- 提升的跨导
功能详解：
- 包括了其电气特性，如门极阈值电压(VGS(th))、零门极电压漏源电流(IDSS)、门极-源极漏电流(IGSS)、漏源导通电阻(RDS(on))等。
- 门极电荷特性，如门极-源极电荷(Qgs)、门极-漏极电荷(Qgd)、总门极电荷(Qg)等。
- 反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr)。
应用信息：
- 该器件适用于高电压、高频率的应用场合。
封装信息：
- PG-TO263封装，订购代码为Q67040-S4199，标记为11N60S5。
