物料型号：
- SPD02N60C3
- SPU02N60C3
器件简介：
- 这些是Cool MOS™ Power Transistor，符合RoHS标准，无铅镀层。
引脚分配：
- Drain pin 2
- Gate pin 1
- Source pin 3
参数特性：
- 最大漏源电压(VDs@Tjmax)：650V
- 静态漏极导通电阻(RpS(on))：3mΩ
- 持续漏极电流(/D)：1.8A
功能详解：
- 提供了详细的电气特性，如漏源击穿电压、门极阈值电压、漏源导通电阻等。
- 包括了热特性和开关特性的详细数据。
应用信息：
- 适用于需要高效率和高功率密度的应用。
封装信息：
- SPD02N60C3封装为PG-TO252，订购代码Q67040-S4420，标记为02N60C3。
- SPU02N60C3封装为PG-TO251，订购代码未提供，标记为02N60C3。
文档还包含了最大额定值、热特性、电气特性、门极电荷特性、体二极管的正向特性、瞬态热特性、功率耗散、瞬态热阻抗、安全工作区、输出特性、导通电阻与电流和温度的关系、转移特性、门极电荷与电压的关系、体二极管的正向特性、开关时间和损耗、雪崩能量与结温的关系、雪崩安全工作区、体二极管的反向恢复特性等详细信息。
