SPD03N50C3

SPD03N50C3

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    TO-252(DPAK)

  • 描述:

    N沟道,560V,3.2A

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SPD03N50C3 数据手册
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SPD03N50C3
1. 物料型号:文档中提到的物料型号为SPD03N50C3,这是一款英飞凌(Infineon)生产的Cool MOS™ Power Transistor。

2. 器件简介:SPD03N50C3是一款适用于工业应用的功率晶体管,具有多种特性,例如在无卤素模具化合物中可用,并且完全符合JEDEC标准。

3. 引脚分配:该器件的引脚分配为Drain pin2,Gate pin1,Source pin3。

4. 参数特性:文档列出了多个电气和热特性参数,例如连续漏源电流(3.2A),脉冲漏源电流(9.6A),雪崩能量(100mJ),栅源电压(±20V DC,±30V AC),功耗(38W),工作和存储温度范围(-55°C至+150°C)等。

5. 功能详解:文档详细描述了SPD03N50C3的各种电气特性,包括漏源击穿电压、雪崩击穿电压、栅阈值电压、栅源漏电流、漏源导通电阻、栅输入电阻等。

6. 应用信息:虽然文档中没有直接提到具体的应用场景,但根据其电气特性和功率等级,SPD03N50C3可能适用于需要高功率和高效率的应用,如电机驱动、电源转换、太阳能逆变器等。

7. 封装信息:SPD03N50C3采用PG-TO252封装,并且有标记为03N50C3。
SPD03N50C3 价格&库存

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