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创作活动
SPP08P06PXK

SPP08P06PXK

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    P-CHANNEL POWER MOSFET

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
SPP08P06PXK 数据手册
SPP08P06PXK
物料型号:SPP08P06P H

器件简介:P-Channel增强型雪崩等级功率晶体管,工作温度达175°C,无卤素符合IEC61249-2-21和AEC Q101标准。

引脚分配:Pin 1为G(栅极),PIN 2/4为D(漏极),PIN3为S(源极)。

参数特性: - 漏源电压:VDs = -60V - 漏源导通电阻:RDS(on) = 0.3mΩ - 连续漏电流:/D = -8.8A - dv/dt额定值:6kV/s - 栅源电压:VGS = ±20V - 总功耗:Ptot = 42W

功能详解:文档提供了热特性、电气特性、动态特性、反向二极管特性等详细信息。

应用信息:由于其高耐压和雪崩能力,适用于高功率应用。

封装信息:SPP08P06P H采用PG-TO220-3封装。
SPP08P06PXK 价格&库存

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