物料型号:SPP08P06P H
器件简介:P-Channel增强型雪崩等级功率晶体管,工作温度达175°C,无卤素符合IEC61249-2-21和AEC Q101标准。
引脚分配:Pin 1为G(栅极),PIN 2/4为D(漏极),PIN3为S(源极)。
参数特性:
- 漏源电压:VDs = -60V
- 漏源导通电阻:RDS(on) = 0.3mΩ
- 连续漏电流:/D = -8.8A
- dv/dt额定值:6kV/s
- 栅源电压:VGS = ±20V
- 总功耗:Ptot = 42W
功能详解:文档提供了热特性、电气特性、动态特性、反向二极管特性等详细信息。
应用信息:由于其高耐压和雪崩能力,适用于高功率应用。
封装信息:SPP08P06P H采用PG-TO220-3封装。