物料型号：
- SPP20N60C3
- SPI20N60C3
- SPA20N60C3
器件简介：
Infineon Technologies AG生产的Cool MOS™ Power Transistor，具有无铅铅镀层，符合RoHS标准，并通过JEDEC标准认证。
引脚分配：
- Drain: pin2
- Gate: pin1
- Source: pin3
参数特性：
- 最大漏源电压(VDs)：650V
- 静态漏源导通电阻(RpS(on))：0.19 mΩ
- 最大漏源电流(I_D)：20.7A
功能详解：
- 器件具有高效率和高功率密度，适用于多种功率应用场景。
应用信息：
- 适用于目标应用领域，如电源管理、电机驱动等。
封装信息：
- SPP20N60C3: PG-TO220封装，订购代码Q67040-S4398，标记为20N60C3。
- SPI20N60C3: PG-TO262-3-1封装，订购代码Q67040-S4550，标记为20N60C3。
- SPA20N60C3: PG-TO220FP封装，订购代码SP000216354，标记为20N60C3。
