SPP21N50C3HKSA1

物料型号：SPP21N50C3、SPI21N50C3、SPA21N50C3，这是英飞凌公司的Cool MOS™ Power Transistor。

器件简介：这些器件采用新的高电压技术，具有全球最佳的RDS(on)指标，在TO 220封装中表现尤为突出。它们具有超低的栅极电荷、周期性雪崩额定以及极高的dv/dt额定。

引脚分配：文档中指出，1号引脚是源极（Source），2号引脚是漏极（Drain），3号引脚是栅极（Gate）。

参数特性：包括最大集电极-发射极电压（TVDs）、最大连续漏极电流（ID）、雪崩能量（EAS）、栅极源电压（VGs）等。

功能详解：文档提供了详细的电气特性，例如阈值电压、栅源漏电流、漏源导通电阻等。

应用信息：文档中提到这些器件符合RoHS标准，并且通过了JEDEC的认证，适用于目标应用。

封装信息：提供了PG-TO22、G-TO262、PG-TO220等封装类型的详细信息，包括订购代码和标记。