SPU09P06PL

物料型号：SPD09P06PL 和 SPU09P06PL

器件简介：这两款产品为英飞凌科技（Infineon technologies）生产的SIPMOS P沟道增强型逻辑电平功率晶体管。

引脚分配：Drain pin 2, Gate pin 1, Source pin 3

参数特性： - 最大连续漏极电流：-9.7 A (Tc=25°C) 和 -6.8 A (Tc=100°C) - 脉冲漏极电流：-38.8 A - 雪崩能量：EAS 70 mJ, EAR 4.2 mJ - 反向二极管dv/dt：6 kV/s - 栅源电压：VGS ±20 V - 功率耗散：Ptot 42 W - 工作和存储温度：T.Tstg -55... +175 C

功能详解：这些功率晶体管在-60 V的漏源击穿电压、0.25 Ω的漏源导通电阻、175°C的工作温度下具有逻辑电平控制能力。

应用信息：产品适用于需要高电压和高功率特性的应用场景。

封装信息：SPD09P06PL使用P-TO252封装，SPU09P06PL使用P-TO251-3-1封装。

封装形式为P-TO251-3-1和P-TO252。